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三星电子首发全球最大容量V-NAND

发布时间:2017/8/12 22:06作者:编辑-程程 阅读:499 评论: 0来自: 人民网

内容简介:三星电子当地时间8日参加美国加州圣克拉拉会展中心举行的“2017闪存峰会(FMS,Flash Memory Summit 2017)”,并在展会上首次公开了容量高达1TB的V-NAND。


  三星电子当地时间8日参加美国加州圣克拉拉会展中心举行的“2017闪存峰会(FMS,Flash Memory Summit 2017)”,并在展会上首次公开了容量高达1TB的V-NAND。

  V-NAND是利用立体(3D)堆叠技术封装更多cell单元的垂直闪存,较512GB提高1倍,采用16层堆叠可以生产出容量达2TB的闪存,大幅提升储存容量。一部2小时的HD高画质电影通常为1.5-2GB,也就意味着1TB的闪存能存下约60-70部电影。三星电子本次发布的1TBV-NAND将很快运用于SSD(固态硬盘)上,计划明年推出最大容量的SSD产品。

  同时三星电子在峰会上还提出了新的SSD标准,即“NGSFF(Next Generation Small Form Factor)”,预计于今年第四季度开始量产NGSFF SSD,这将最大限度地提高服务器存储数据容量。三星方面表示,现有服务器如全部替换使用NGSFF级别的SSD,存储容量将提高4倍,帮助数据中心和服务器客户建立高效系统。

  三星电子还在峰会上发布了Z-SSD和Key Value SSD,Z-SSD能将读写速度提高7-12倍,可应用于实时大数据分析和高性能服务器缓存,Key Value SSD可让多种数据无需转换便可直接存储。

  SSD硬盘是一种取代HHD硬盘的存储设备,利用NAND闪存或是D-Ram等超高速半导体存储器,不仅能够提速,还能减少机械卡顿、发热和噪音。

  三星存储器部门高层表示,2013年三星电子在全球率先实现V-NAND(第一代,24层)量产,今年已实现第四代V-NAND的量产引领创新,未来三星电子将积极应对人工智能(AI)、大数据等未来高新半导体的需求。
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